Наведено спосіб синтезу та вирощування, фізико-хімічні, електричні та оптичні властивості напівпровідникових кристалів радіаційностійкої групи In2Hg3Te6, InGaHg2CdTe6, InGaHg2MnTe6 (останніх двох вперше). Синтез сполук із наступною кристалізацією розплавів проведено в кварцевих ампулах. Монокристали та крупноблочні полікристали вирощено за допомогою методу зонної плавки, за неперервного перемішування розплаву. За допомогою диференційно-термічного аналізу визначено температури плавлення вказаних сполук, які збігаються з температурами їх кристалізації - 715, 760 і 775 <$E symbol Р>C. Шляхом рентгенівського аналізу за допомого методу Дебая - Шерера встановлено, що кристали досліджуваних речовин мають гратку сфалериту, структурний тип F43m(B3) і постійні гратки відповідно 6,2912, 6,2529 і 6,1032 <$E roman A back 65 up 45 symbol Р>. За залежністю коефіцієнта оптичного поглинання в області краю власного поглинання визначено ширини заборонених зон кристалів всіх трьох сполук за температури 300 K, які відповідно дорівнюють 0,72, 0,95 і 1,23 еВ. Кристали також володіють високим пропусканням інфрачервоного випромінювання в довгохвильовій області та за краєм власного поглинання, що додатково підтверджує їх структурну досконалість. З температурних залежностей електропровідності в межах 80 - 420 K, ефекту Холла та рухливості носіїв заряду у вказаних трьох групах кристалів установлено, що тип провідності - електронний. Виявлено два типи енергетичних центрів з енергією <$E E sub 1>, <$E E sub 2>. За умови <$E T~>>~290> K енергія активації <$E E sub 1> лежить

в різних зразках у межах (0,34 - 0,60) еВ. За умови <$E T~<<~250> K енергія активації <$E E sub 2> лежить у межах (0,043 - 0,22) еВ. На одержаних однорідних за електрофізичними властивостями монокристалах In2Hg3Te6 створено діоди та фотодіоди Шотткі, в яких обернені темпові струми за температури 293 K, що визначають їх детектувальну здатність, є меншими на порядок від обернених струмів фотодіодів такої ж конфігурації, які описані в літературі. Показано вищу стійкість фотоелектричних параметрів фотодіодів Шотткі на МІТ до іонізувального гамма опромінення у порівнянні зі стандартними фотодіодами на кремнії.

• Ковальчук Мирослав Любомирович (фізико-математичні науки)
• Копач Ольга Володимирівна (біологічні науки)
• Копач Олег Вадимович (хімічні науки)

  Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"