Исследованы процессы глубокого рафинирования вольфрама с использованием комплекса химических и физических методов в определенной последовательности: ионный обмен, термическое разложение, зонная сублимация, водородное восстановление, электронно-лучевая зонная плавка. После рафинирования комплексными методами большинство примесных элементов (~ 60 элементов), содержащихся в вольфраме, находятся на уровне <$E 10 sup -6~symbol Ш~10 sup -7> ат. %, а отношение электросопротивлений R300K/R4,2K монокристаллических образцов вольфрама достигает 100 000. Данный уровень чистоты вольфрама соответствует лучшим мировым достижениям. У высокочистых монокристаллов вольфрама в области гелиевых температур обнаружен ряд новых свойств, не наблюдавшихся ранее: аномально высокое магнитосопротивление, изменение величины коэффициента Холла, появления статического скин-эффекта.

  Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"