Гасан-Заде С. Г. Керована трансформація фізичних характеристик традиційних об'ємних напівпровідників, зумовлена зниженням симетрії / С. Г. Гасан-Заде, М. В. Стріха, Г. А. Шепельський // Укр. фіз. журн. (Огляди). - 2009. - 5, № 1. - С. 3-33. - Бібліогр.: 96 назв. - укp.Розглянуто нетривіальні фізичні характеристики, яких набувають традиційні об'ємні вузько- (ВН) і безщілинні (БН) напівпровідники (антимонід індію, потрійна сполука <$E{roman Cd} sub x {roman Hg} sub 1-x roman Te>, або КРТ) під дією одноосьового пружного стиску і які можуть мати важливе прикладне застосування. Такий стиск знижує симетрію кристала, приводячи до перебудови його зонної структури. У ВН під дією одноосьового стиску різко знижується темп безвипромінювальної оже-рекомбінації (яка домінує в цих кристалах) і зростає швидкість випромінювальної рекомбінації. Це відкриває можливість радикально (на порядок) підвищити квантовий вихід і зробити названі кристали матеріалом, ефективним не тільки для приймачів, але і для випромінювачів в актуальному інфрачервоному діапазоні. Перебудова зонного спектра ВН під дією одноосьового стиску призводить також до появи низки важливих аномалій у фотоелектричних і фотомагнітних явищах. У БН одноосьовий пружний стиск призводить до різкої зміни картини рекомбінаційних процесів. Експериментально спостережено та теоретично пояснено явище індукованого стиском стимульованого випромінювання у ТГц-діапазоні, яке відкриває можливість для практичного створення ТГц-лазера з перебудовуваною довжиною хвилі. Одноосьовий стиск призводить також до перебудови домішкових станів у напівпровідниках. Зокрема, розглянуто випадок, коли несиметричність притаманна не кристалічній гратці, а самому домішковому центрові. Така задача становить значний інтерес у зв'язку з активізацією протягом останніх років досліджень ізоелектронної азотної домішки в напівпровідниках <$Eroman {A sup 3 B sup 5}>. Індекс рубрикатора НБУВ: В379.2
Рубрики:
Шифр НБУВ: Ж26988/огл. Пошук видання у каталогах НБУВ Додаткова інформація про автора(ів) публікації: (cписок формується автоматично, до списку можуть бути включені персоналії з подібними іменами або однофамільці) Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"
|