За допомогою методу трансфер- і S-матриці аналітично та числово розраховано резонансні енергії та ширини квазістаціонарних станів електрона у плоскій двобар'єрній резонансно-тунельній наноструктурі з несиметричними прямокутними (з різними ефективними масами у бар'єрах та ямах) і <$E delta>-подібними потенціальними бар'єрами. На прикладі наносистем GaAs/AlAs і <$E {roman In} sub x {roman Al} sub 1-x roman As "/" {roman In} sub x {roman Ga} sub 1-x roman As> показано, що, на відміну від точних величин резонансних енергій і ширин, визначених у моделі прямокутних потенціальних бар'єрів, модель <$E delta>-подібних бар'єрів, яка часто використовується у теоретичних дослідженнях, дає завищені на десятки відсотків похибки резонансних енергій, а величини резонансних ширин є завищеними у десятки разів.

Індекс рубрикатора НБУВ: В371.236 в641.0 + В377.1 в641.0

Рубрики:

Електричні властивості твердих тіл

Шифр НБУВ: Ж26988 Пошук видання у каталогах НБУВ 

---

Додаткова інформація про автора(ів) публікації:
(cписок формується автоматично, до списку можуть бути включені персоналії з подібними іменами або однофамільці)

• Ткач Микола Васильович (фізико-математичні науки)
• Ткач Маргарита Володимирівна (психологічні науки)
• Ткач Марина Валеріївна (філологічні науки)
• Сеті Юлія Олександрівна (фізико-математичні науки)

  Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"