Остафійчук Б. К. Механізми дефектоутворення при імплантації монокристалів ГГГ іонами <$E bold roman B sup +> та <$E bold roman He sup +> / Б. К. Остафійчук, В. Д. Федорів, С. І. Яремій, І. П. Яремій, В. О. Коцюбинський, О. Ю. Бончик // Металлофизика и новейшие технологии. - 2008. - 30, № 9. - С. 1215-1227. - Бібліогр.: 15 назв. - укp.Розглянуто механізми дефектоутворення у процесі імплантації монокристалів зі структурою гранату легкими іонами середніх енергій. Показано, що ударна іонізація аніонів гратниці може спричинити їх викид з вузла за рахунок електростатичної взаємодії з ближнім оточенням. Числово розраховано розподіл дефектів, утворених внаслідок як пружних, так і непружних зіткнень імплантата вздовж проективного пробігу. На підставі теоретичних розрахунків досліджено розподіл деформацій у приповерхневих шарах монокристалів ГГГ, імплантованих іонами <$E roman B sup +> і <$E roman He sup +>. Індекс рубрикатора НБУВ: В372.31
Рубрики:
Шифр НБУВ: Ж14161 Пошук видання у каталогах НБУВ Додаткова інформація про автора(ів) публікації: (cписок формується автоматично, до списку можуть бути включені персоналії з подібними іменами або однофамільці) Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"
|