Смоделирован смеситель СВЧ сигналов на основании резких лавинных Ge, Si и GaAs p - n переходов. В качестве математической модели использованы уравнения диффузионно-дрейфовой модели (ДДМ) полупроводников. Решение уравнений ДДМ найдено модифицированным методом встречных прогонок. Рассмотрен принцип работы смесителя. Установлена физическая природа искажений сигнала. Рассчитаны коэффициент усиления, амплитудная и частотная характеристики. Приведены спектр частот и фазы выходного сигнала Ge, Si и GaAs p - n переходов.

Індекс рубрикатора НБУВ: З840.4

Рубрики:

Техніка ультракоротких хвиль (УКХ)

Шифр НБУВ: Ж69398 Пошук видання у каталогах НБУВ 

---

  Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"