Садков В. Д. Оптимальный профиль входных контактов аттенюаторной пластины на основе распределенных резистивных структур / В. Д. Садков, В. Н. Уткин // Изв. вузов. Радиоэлектроника. - 2008. - 51, № 11-12, [ч. 2]. - С. 65-68. - Библиогр.: 4 назв. - рус.Результаты расчетов и экспериментов показывают, что наибольшие значения градиентов потенциалов и выделяющейся мощности имеют место вблизи входного контакта, что снижает уровень допустимой рассеиваемой мощности. Предложена методика, позволяющая найти оптимальный профиль входных контактов и обеспечивающая более чем двойное увеличение рассеиваемой пластиной мощности. Індекс рубрикатора НБУВ: З842.1-54
Рубрики:
Шифр НБУВ: Ж27665/рад. эл. Пошук видання у каталогах НБУВ
Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"
|