Моллаев А. Ю. Отрицательное магнитосопротивление в p-InAs:Mn и p-CdGeAs2:Mn, индуцированное высоким давлением / А. Ю. Моллаев, И. К. Камилов, Р. К. Арсланов, У. З. Залибеков, Т. Р. Арсланов, В. М. Новоторцев, С. Ф. Маренкин // Физика и техника высоких давлений. - 2009. - 19, № 2. - С. 99-102. - Библиогр.: 6 назв. - рус.В p-InAs (<$E R sub H~=~22,5~roman {см sup 3 "/" C}>, <$E rho~=~0,15~OMEGA~cdot~roman см>) и в новом ферромагнитном материале p-CdGeAs2 (<$E R sub H~=~5~roman {см sup 3 "/" C}>, <$E rho~=~0,62 OMEGA~cdot~roman см>), легированном магнитной примесью (Mn), измерены удельное электросопротивление <$E rho>, коэффициент Холла <$E R sub H> и поперечное магнитосопротивление <$E DELTA rho sub xx "/" rho sub 0> при высоком гидростатическом давлении до <$E P~symbol Г~9> ГПа в области комнатных температур. На зависимостях <$E DELTA rho sub xx "/" rho sub 0 ( P,~H )> в p-InAs:Mn и p-CdGeAs2:Mn обнаружен магниторезистивный эффект. Індекс рубрикатора НБУВ: В379.273
Рубрики:
Шифр НБУВ: Ж14388 Пошук видання у каталогах НБУВ
Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"
|