Приведены результаты исследований усовершенствованным методом стационарной фотопроводимости и методом спада фотопроводимости, распределения времени жизни неравновесных неосновных носителей заряда <$E tau sub n,p> по толщине пластин монокристаллического кремния. Исследованы пластины p- и n-типов проводимости, предназначенные для изделий электронной техники и подвергнутые таким способам повышения <$E tau sub n,p> в их приповерхностных областях как геттерирующий отжиг и глубокое химическое травление. На основании сравнительного анализа полученных значений <$E tau sub n,p> предложено использовать подвергнутые глубокому химическому травлению пластины кремния в качестве базовых кристаллов при создании отечественного ресурсосберегающего варианта многопереходных фотоэлектрических преобразователей с вертикальными диодными ячейками.

Індекс рубрикатора НБУВ: В377.142 + З854.225

Рубрики:

Фотопровідність (внутрішній фотоефект)

Кремнієві фотоелементи

Шифр НБУВ: Ж69398 Пошук видання у каталогах НБУВ 

---

Додаткова інформація про автора(ів) публікації:
(cписок формується автоматично, до списку можуть бути включені персоналії з подібними іменами або однофамільці)

• Зайцев Роман Валентинович (1986–) (фізико-математичні науки)
• Копач Володимир Романович (технічні науки)

  Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"