Слипченко Н. И. Регрессионные технологические модели кремниевых монокристаллических фотопреобразователей / Н. И. Слипченко, В. А. Письменецкий, А. В. Фролов, Н. Н. Яновская // Изв. вузов. Радиоэлектроника. - 2008. - 51, № 11-12, [ч. 1]. - С. 41-49. - Библиогр.: 4 назв. - рус.Предложена экспериментальная регрессионная модель зависимости кпд кремниевых монокристаллических фотопреобразователей от диодных (фактор неидеальности А, последовательное сопротивление <$E R sub roman п>, ток насыщения <$E I sub 0>) и технологических (толщина подложки h, толщина легирующего слоя жидкорастворной (ЖРК) композиции <$E h sub roman ЖРК>) параметров в условиях малой (6 - 12) партии образцов на основе уравнения регрессии 1-го порядка. Проверка адекватности моделей выполнена по F-критерию Фишера. С помощью уравнений регрессии выполнен поиск оптимальных диодных и технологических параметров по критерию максимума кпд. Індекс рубрикатора НБУВ: З854.225
Рубрики:
Шифр НБУВ: Ж27665/рад. эл. Пошук видання у каталогах НБУВ Додаткова інформація про автора(ів) публікації: (cписок формується автоматично, до списку можуть бути включені персоналії з подібними іменами або однофамільці) ![](/irbis_nbuv/images/info.png) Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"
|