Дмитриев В. М. Резистивное состояние широкой сверхпроводящей пленки, обусловленное переменным электромагнитным полем / В. М. Дмитриев, И. В. Золочевский // Физика низ. температур. - 2009. - 35, № 5. - С. 475-478. - Библиогр.: 18 назв. - рус.Экспериментально показано, что при мощности внешнего микроволнового облучения больше некоторой критической <$E P sub c>, по аналогии с узким каналом и высокочастотными центрами проскальзывания фазы (ас ЦПФ), в широкой сверхпроводящей пленке возникают высокочастотные линии проскальзывания фазы (ас ЛПФ). При пропускании пробного постоянного тока намного меньше критического такое состояние пленки оказывается резистивным, что проявляется в виде линейных начальных участков вольт-амперных характеристик (ВАХ), отражающих падение напряжения на ас ЛПФ. Показано, что при монотонном изменении мощности электромагнитного облучения наклон линейных участков ВАХ изменяется дискретно и кратно сопротивлению одной ас ЛПФ, возникающей при мощности равной <$E P sub c>. Індекс рубрикатора НБУВ: В368.313
Рубрики:
Шифр НБУВ: Ж14063 Пошук видання у каталогах НБУВ Додаткова інформація про автора(ів) публікації: (cписок формується автоматично, до списку можуть бути включені персоналії з подібними іменами або однофамільці) Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"
|