Пан В. М. Самоорганізація наночастинок <$E bold roman BaZrO sub 3> на дислокаціях росту епітаксійних плівок високотемпературних надпровідних купратів / В. М. Пан, В. Л. Свечников, В. С. Фліс, Ю. В. Черпак, О. Л. Касаткін, А. О. Фліс, К. Г. Третяченко, В. О. Москалюк // Металлофизика и новейшие технологии. - 2008. - 30, № 6. - С. 757-769. - Бібліогр.: 23 назв. - укp.Міряння густини критичного струму (<$E J sub c>) епітаксійних YBCO-плівок демонструють її суттєву товщинну залежність, що спадає з 7 - 8 МА/см<^>2 у дуже тонких плівках (50 - 70 нм) до менш ніж 1 МА/см<^>2 у товстіших плівках. Дослідження за допомогою методу дифракції зворотно розсіяних електронів та просвітлювальної електронної мікроскопії з високою роздільчою здатністю свідчать, що наноструктура епітаксійних ВТНП-плівок YBCO еволюціонує впродовж росту за високої температури внаслідок високої мобільності дислокацій. Аналіз існуючих моделей пінінгу вихорів Абрикосова приводить до висновку, що будь-які центри пінінгу, окрім дислокацій, не можуть забезпечити одержані величини <$E J sub c>. Протяжні лінійні дефекти забезпечують максимальну елементарну силу пінінгу, якщо вихорі є паралельними лініям дислокацій, в той час як випадково розподілені точкові дефекти можуть забезпечити пінінг на два порядки менший за величиною. Таким чином, товщинна залежність <$E J sub c> визначається в основному еволюцією дислокаційної структури. Введення наночастинок у ВТНП-плівки дає вклад у зростання <$E J sub c> тільки у випадку когерентного входження їх у матрицю та внаслідок формування додаткових дислокацій в процесі росту, що забезпечує збереження високої концентрації дислокацій. Наночастинки зменшують дислокаційну мобільність, фіксують дислокаційну структуру та запобігають полігонізації. Індекс рубрикатора НБУВ: В368.2
Рубрики:
Шифр НБУВ: Ж14161 Пошук видання у каталогах НБУВ Додаткова інформація про автора(ів) публікації: (cписок формується автоматично, до списку можуть бути включені персоналії з подібними іменами або однофамільці) Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"
|