Книжкові видання та компакт-диски Журнали та продовжувані видання Автореферати дисертацій Реферативна база даних Наукова періодика України Тематичний навігатор Авторитетний файл імен осіб
|
Пошуковий запит: (<.>ID=REF-0000215967<.>) |
Загальна кількість знайдених документів : 1
|
Заячук Д. М. Формування буферних шарів GaAs для нарощування квантових точок методом низькотемпературної рідинно-фазної епітаксії / Д. М. Заячук, С. І. Круковський, Ю. С. Михащук // Вісн. Нац. ун-ту "Львів. політехніка". - 2009. - № 646. - С. 71-76. - Бібліогр.: 10 назв. - укp.Розроблено та реалізовано технологічні режими нарощування буферних шарів GaAs із перенасичених галієвих розчинів-розплавів, які забезпечують формування робочої поверхні вищої якості стосовно якості поверхні вихідної підкладки. Досліджено поведінку буферних шарів GaAs у контакті з насиченими розчинами-розплавами In - InAs за температури 450 <$E symbol Р>C. Показано, що за тривалості такого контакту щонайменше дві хвилини перехідні шари з вмістом індію на поверхні підкладки GaAs не утворюються. Індекс рубрикатора НБУВ: З861
Рубрики:
Шифр НБУВ: Ж29409/А Пошук видання у каталогах НБУВ Додаткова інформація про автора(ів) публікації: (cписок формується автоматично, до списку можуть бути включені персоналії з подібними іменами або однофамільці) Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"
|
|
|