Приведены разработанная упрощенная технология получения пленок Si с фотоэлектретным состоянием, возникающем без внешнего поляризующего поля в результате одного лишь освещения, основанная на термической обработке пленок в воздухе; экспериментальные исследования и физическая интерпретация полученных результатов на основании модели с двумя глубокими уровнями.

  Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"