Бажин И. В. Ab initio моделирование процесса роста нанокластеров на поверхности карбида вольфрама / И. В. Бажин, О. А. Лещева // Металлофизика и новейшие технологии. - 2008. - 30, № 5. - С. 627-634. - Библиогр.: 10 назв. - рус.В рамках теории функционала электронной плотности проведено моделирование процесса роста нанокластеров и нанослоев на поверхности карбида вольфрама (WC). Для поверхностных структур определены равновесная геометрия, полная энергия и энергия связи. Проведен расчет электронной структуры объемного WC, поверхности WC, моно- и полислоев TiC/TiN и Co на гранях (100) и (111) кубического WC и (0001) гексагонального WC. Індекс рубрикатора НБУВ: Ж620
Рубрики:
Шифр НБУВ: Ж14161 Пошук видання у каталогах НБУВ
![](/irbis_nbuv/images/info.png) Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"
|