Велещук В. П. Акустична емісія в світловипромінюючих структурах на основі сполук GaP, GaAs та GaN : автореф. дис... канд. фіз.-мат. наук / В. П. Велещук; Ін-т фізики напівпровідників ім. В.Є.Лашкарьова НАН України. - К., 2008. - 19 c. - укp.Проведено дослідження акустичної емісії (АЕ) в напівпровідникових світовипромінювальних структурах на основі сполук GaP, GaAs та GaN за умов протікання постійного прямого електричного струму. Вивчено акустичний відгук у монокристалах GaAs та CdTe у разі дії на їх поверхню наносекундного імпульсного лазерного випромінювання. Розвинуто перспективний напрямок фізики твердого тіла, пов'язаний з використанням явища АЕ як цілеспрямованого неруйнівного тонкого методу вивчення динаміки дефектоутворення напівпровідникових структур в режимі реального часу. За допомогою даного методу одержано практично важливу інформацію про процеси природного старіння в світовипромінювальних структурах на основі сполук GaAsP, GaP та GaAlAs, які за час <$E~ 6~ cdot ~10 sup 8 roman с> підвищують у 10 - 20 разів максимально допустимі густини струмів, зокрема, густини струмів руйнування та межу виникнення АЕ. Вперше виявлено, що зміни в спектрі електролюмінесценції, які традиційно пов'язуються зі зміною стану точкових дефектів, корелюють з виникненням АЕ, обумовленої процесом перебудови структури матеріалу в локальних об'ємах. Встановлено межу плавлення грані (III) сполук GaAs та CdTe під час наносекундного лазерного опромінення за показником зміни амплітуди акустичного відгуку. Індекс рубрикатора НБУВ: В379.271,022 + В379.24,022 + В379.26,022
Рубрики:
Шифр НБУВ: РА357983 Пошук видання у каталогах НБУВ Повний текст Автореферати дисертацій Додаткова інформація про автора(ів) публікації: (cписок формується автоматично, до списку можуть бути включені персоналії з подібними іменами або однофамільці) Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"
|