Досліджено фізико-хімічну взаємодію нелегованого та легованого оловом InAs, InSb та GaAs з бромвиділяючими розчинами систем HBr - HNO3(H2O2, K2Cr2O7), розроблено на підставі одержаних експериментальних результатів травильні композиції та режими обробки поверхні даних напівпровідникових матеріалів. З використанням математичного планування експерименту побудовано 36 поверхонь однакових швидкостей травлення (діаграми Гіббса) для розчинення InAs та InSb в розчинах 11-ти потрійних систем HBr - HNO3(H2O2, K2Cr2O7) - розчинник та легованого оловом InAs і GaAs в розчинах 7-ми потрійних систем HBr - HNO3(H2O2) - розчинник. Встановлено вплив окисника та розчинника на швидкість хімічного розчинення, полірувальні властивості розчинів та якість поліровальної поверхні InAs, InAs(Sn), InSb GaAs. Показано, що легування InAs оловом значно впливає на швидкість хімічного травлення та концентраційні межі полірувальних розчинів у кожній з досліджуваних систем. На підставі аналізу температурних залежностей швидкості взаємодії даних напівпровідникових матеріалів з розчинами систем HBr - HNO3(H2O2, K2Cr2O7) - розчинник виявлено існування компенсаційної залежності в кінетиці хімічного травлення. У досліджених системах оптимізовано склади полірувальних травильних композицій та розроблено режими та методи підготовки поліровальних поверхонь InAs, InAs(Sn), InSb та GaAs.

 Автореферати дисертацій 

---

Додаткова інформація про автора(ів) публікації:
(cписок формується автоматично, до списку можуть бути включені персоналії з подібними іменами або однофамільці)

• Кусяк Наталія Володимирівна (1974–) (хімічні науки)

  Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"