Створені оригінальні конструкції кріогенного та надвисоковакуумного СТМ (скануючого тунельного мікроскопу). Визначені їх параметри. Введено в практику використання пристрою сколу кристалів в кріогенному СТМ. Розроблена універсальна цифрова електроніка для СТМ. Вивчено топографію реальних поверхонь (110) і (100) вольфраму та з'ясовано причину анізотропії віддзеркалення електронів при нормальному падінні від цих поверхонь. На сколах in situ кристалів високотемпературного надпровідника YBa₂Cu₃O_7-x в кріогенному СТМ в умовах відсутності механічного контакту між вістрям та поверхнею був отриманий діапазон можливих величин надпровідної щілини. Розроблені методи переносу атомів кремнію по поверхні Si (111) з допомогою вольфрамового вістря в СТМ. Розмір особливостей, що утворюються, може змінюваться в діапазоні 2 - 30 нм. Методи можуть бути використані для утворення кремнієвих мікроелектронних структур.

 Автореферати дисертацій 

---

Додаткова інформація про автора(ів) публікації:
(cписок формується автоматично, до списку можуть бути включені персоналії з подібними іменами або однофамільці)

• Прядкін Сергій Леонідович (фізико-математичні науки)

  Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"