Установлено, що в p-n структурах на основі GaAs, GaAs - AlGaAs та GaP, що знаходяться в парах аміаку, виникає додатковий поверхневий струм завдяки утворенню провідного поверхневого каналу під дією електричного поля іонів аміаку, адсорбованих на поверхні власного оксиду. За результатами дослідження кінетики наростання та спадання поверхневого струму під час адсорбції та десорбції молекул аміаку за різних температур доведено наявність у p-n переходах на основні GaAs зі шліфованою боковою поверхнею "повільних" поверхневих рекомбінаційних центрів з висотою потенціального бар'єра для електронів <$EDELTA E~=~0,48 symbol Ш 0,54~ roman еВ>. Досліджено вплив парів аміаку на морфологію поверхні p-n структур на основі GaAs за допомогою еліпсометричних вимірювань за методами атомно-силової мікроскопії. Показано, що після обробки пластин GaAs у парах аміаку покращується однорідність оксидного шару і не змінюється швидкість поверхневої рекомбінації. Показано, що зміну вольтамперних характеристик p-n структур за дії парів аміаку можна використати для створення сенсора даних парів. Установлено, що сенсори парів аміаку на основі p-n переходів можуть працювати тривалий час у повторному режимі.

 Автореферати дисертацій 

---

Додаткова інформація про автора(ів) публікації:
(cписок формується автоматично, до списку можуть бути включені персоналії з подібними іменами або однофамільці)

• Артеменко Олександр Сергійович (юридичні науки)
• Артеменко Олена Сергіївна (фізико-математичні науки)

  Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"