Виявлено, що під дією атомарного водню (H) у приповерхневі шари Ge вводяться атоми з плівок Cu, Ni, Ag, Au та In (системи з обмеженою розчинністю) з концентрацією, що значно перевищує межову розчинність, внаслідок якої у приповерхневих шарах кристалів виникають механічні напруження. Встановлено прискорення гетеродифузії рекобінаційних домішок (Cu, Ni, Ag і Au) у приповерхневих шарах германію (до 1 мкм) під дією H, що зумовлено протіканням "швидкого" міжвузлового механізму. Виявлено ефект прискорення гетеродифузії In в германії під дією H, що пов'язано з перебігом процесу комплексоутворення домішка - атом водню. Розраховано, що на глибинах до 0,01 мкм відбувається дифузія In у кристалі з коефіцієнтами дифузії, що відповідають температурам <$E900~ symbol Ш ~950~ roman K>. Експериментально виявлено, що під дією H у приповерхневих областях кристалів германію відбувається процес дефектоутворення (генерації вакансій), перебіг якого більш інтенсивний за наявності домішкових поверхневих атомів. За даних умов відзначено зміну морфології поверхні, зокрема збільшення висоти поверхневого мікрорельєфу. Встановлено, що швидкість розпилення металевих плівок, які не мають летких сполук із воднем (Cu, Ni, Ag, Au), залежить від температури плавлення матеріалу плівки та збільшується у разі її зменшення. Визначено, що швидкість розпилення плівок In (атоми якого мають леткі хімічні сполуки з воднем) під дією H значно більша (приблизно на два порядки) швидкості розпилення плівок Cu, Ni, Ag, Au (що не мають летких хімічних сполук з воднем).

• Матюшин Володимир Михайлович (фізико-математичні науки)

  Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"