Пиц М. В. Вплив атомних і структурних дефектів на електронні процеси в епітаксійних плівках телуридів олова і свинцю : Автореф. дис... канд. фіз.-мат. наук : 01.04.18 / М. В. Пиц; Прикарпат. ун-т ім. В.Стефаника. - Івано-Франківськ, 2001. - 20 c. - укp.Показано, що під час вирощування плівок свинцю SnTe з парової фази методом гарячої стінки на відколах монокристалів (111) BaF2 переважаючими дефектами є двозарядні вакансії олова (VSn2-). Встановлено, що опромінення плівок альфа-частинками ~ 5 МеВ інтенсивністю 2 . 107 см-2с-1 генерує в плівках пари Френкеля (Sni+ - VSn2-) і (Tei0 - VTe2-) з вакансіями металу та халькогену акцепторного типу. З'ясовано, що у вирощених плівках телуриду свинцю переважають однозарядні міжвузлові атоми свинцю (Pbi+) і двозарядні вакансії свинцю (VPb2-). Дозові залежності концентрації струму від радіаційного опромінення пояснено утворенням дефектів у катіонній (Pbi+ - VPb2-) та аніонній Tei0 - VTe2+ підгратках. На основі зіставлення експериментальних і розрахункових дозових залежностей концентрації носіїв струму визначено коефіцієнти генерації дифузії точкових дефектів і розміри областей їх рекомбінації. Радіаційне опромінення плівок обумовлено релаксацією нерівноважних структурних станів, розпадом і гомогенізацією великомасштабних дефектів, що є причиною виникнення мікронапруг, росту мозаїчності, густини дислокацій (за великих доз опромінення 2 . 1011 - 1013 см-2). Термічний відпал у вакуумі та на повітрі пояснено кінетикою рекристалізаційних та окиснювальних процесів. Індекс рубрикатора НБУВ: В372.6,022 + К232.402.6 + К232.702.6
Рубрики:
Шифр НБУВ: РА314154 Пошук видання у каталогах НБУВ Повний текст Автореферати дисертацій Додаткова інформація про автора(ів) публікації: (cписок формується автоматично, до списку можуть бути включені персоналії з подібними іменами або однофамільці) Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"
|