Проведено комплексне дослідження температурних залежностей електроопору <$Eroman NbSe sub 3> і <$Eroman NbSe sub 2> у різних середовищах (повітря, вакуум, аргон з парами селену), теплового розширення <$Eroman NbSe sub 2> в інтервалі 300 - 550 К. Доведено, що за термічної обробки <$Eroman NbSe sub 3> і <$Eroman NbSe sub 2> утворюються вакансії селену за результатами рентгенівських досліджень. Проаналізовано температурно-часові залежності електроопору та встановлено, що ефективна енергія утворення вакансій селену в квазідвовимірних монокристалах <$Eroman NbSe sub 2>, зменшується з ростом концентрації вакансій селену. Описано модель утворення вакансій селену, яка передбачає перерозподіл носіїв заряду в процесі зростання концентрації вакансій, послаблення зв'язків Nb-Se і посилення зв'язків Nb-Nb. Визначено аномально велике значення (<$Eroman ~ 150 %>) температурно-залежної частини вакансійного внеску в електроопір для <$Eroman NbSe sub 2> і <$Eroman NbSe sub 3> в інтервалі температур 78 - 300 К для низьковимірних систем. Запропоновано теоретичну модель для розкриття великого позитивного значення температурно-залежної частини вакансійного внеску в електроопір в <$Eroman NbSe sub 3>, що грунтується на різному характері розсіювання електронів, які відносяться до різних структурних ланцюжків квазіодновимірного матеріалу, на дефектах гратки і на фононах. Встановлено, що утворення вакансій селену в квазіодновимірних монокристалах <$Eroman NbSe sub 3> приводить до слабкої зміни температури високотемпературного переходу хвилі зарядової густини, та не приводить до його пригнічення, що обумовлено утворенням вакансій селену у ланцюжках одного

 Автореферати дисертацій 

---

Додаткова інформація про автора(ів) публікації:
(cписок формується автоматично, до списку можуть бути включені персоналії з подібними іменами або однофамільці)

• Шелест Тетяна Миколаївна (фізико-математичні науки)

  Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"