Книжкові видання та компакт-диски Журнали та продовжувані видання Автореферати дисертацій Реферативна база даних Наукова періодика України Тематичний навігатор Авторитетний файл імен осіб
|
Пошуковий запит: (<.>ID=REF-0000221956<.>) |
Загальна кількість знайдених документів : 1
|
Даньків О. О. Вплив деформації на електронні та діркові стани в напружених квантових точках InAs/GaAs : Автореф. дис... канд. фіз.-мат. наук / О. О. Даньків; Чернів. нац. ун-т ім. Ю.Федьковича. - Чернівці, 2007. - 20 c. - укp.Теоретично досліджено перебудову локалізованих електронних та діркових рівнів у напружених сферичних і циліндричних квантових точках InAs/GaAs різних розмірів під впливом самоузгодженої деформації матеріалу квантової точки й оточуючої матриці та зовнішнього тиску. Удосконалено метод розрахунку баричного коефіцієнта в квантово-розмірних нульвимірних напіпровідникових структурах. Показано, що величина баричного коефіцієнта матеріалу квантової точки InAs є меншою від значення баричного коефіцієнта об'ємного матеріалу InAs на <$E~21~%>. Досліджено вплив пружної взаємодії між квантовими точками, лапласівського тиску на межі квантова точка - матриця, температури росту та домішки в квантовій точці InAs на енергію основного оптичного переходу. Вперше теоретично встановлено залежності ефективних мас електрона та дірки від латерального розміру напруженої циліндричної квантової точки у площині росту та напрямі перпендикулярному до неї. Індекс рубрикатора НБУВ: В379.2,022
Рубрики:
Шифр НБУВ: РА350109 Пошук видання у каталогах НБУВ Повний текст Автореферати дисертацій Додаткова інформація про автора(ів) публікації: (cписок формується автоматично, до списку можуть бути включені персоналії з подібними іменами або однофамільці) Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"
|
|
|