На підставі результатів рентгеноструктурних, магнітних, електричних і оптичних вимірювань властивостей кристалів <$Eroman {Hg sub 3 In sub 2 Te sub 6 }>, легованих Fe, Mn, Cr, Gd, Si, Sn, Cu до концентрації <$E10 sup 18 ~ symbol Ш ~10 sup 20 ~ roman см sup -3> установлено, що домішки створюють у них характерні внутрішні поля, напруженість яких збільшується з ростом вмісту домішки. Досліджено, що випадковий характер цих полів призводить до великомасштабних флуктуацій потенціалу, які визначають особливості електричних і оптичних властивостей матеріалу. Показано, що квазівласний характер провідності зумовлюється перенесенням електронів і дірок за відповідних рівнів протікання. Установлено, що причиною ефекту самокомпенсації домішок і стабілізації рівня Фермі поблизу середини забороненої зони є виникнення за умов легування двох систем рівнів протилежно заряджених локалізованих центрів донорного та акцепторного типу. Зроблено висновок, що спостережені явища (розмиття країв зон провідності та валентної з утворенням хвостів щільності станів, зміна показника заломлення, діелектричної проникності та поляризаційних констант) пов'язані з додатковим розупорядкуванням, яке супроводжується деформацією решітки та більш сильною локалізацією електронів. Установлено закономірності цілеспрямованого керування оптичними та діелектричними властивостями, що розширює можливості практичного використання матеріалу <$Eroman {Hg sub 3 In sub 2 Te sub 6 }>.

• Грушка Олена Григорівна (фізико-математичні науки)

  Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"