Досліджено вплив неоднорідностей "острівцевої" структури омічних контактів на основі AuGe до (100) n-GaAs та обумовлених крайовими ефектами в меза-структурах на електричні характеристики діодів Ганна <$Eroman n-n sub 6 sup + -n sup ++> типу. Виявлено двомірну картину межі поділу катодних контактів з напівпровідником та показано, що ступінь її неоднорідності визначає форму вольтамперної характеристики (ВАХ) та пробивну напругу діодів. Описано крайові ефекти в меза-структурах діодів Ганна, які проявляються пробоєм діодів та впливом площі меза-структури (S) на ефективне значення напруженості порогового поля Eпор. Одержано математичний вираз залежності Eпор(S). Розроблено діоди Ганна з кільцевими катодним контактами та методику аналізу відказів.

 Автореферати дисертацій 

---

Додаткова інформація про автора(ів) публікації:
(cписок формується автоматично, до списку можуть бути включені персоналії з подібними іменами або однофамільці)

• Челюбеєв Віктор Миколайович (технічні науки)

  Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"