Досліджено екситонні властивості наноструктур на базі напівмагнітних напівпровідників. Розраховано магнітну залежність основного та першого збудженого екситонних рівнів у напівмагнітних квантових ямах і квантових дротах. Показано, що розщеплення екситонних рівнів у зовнішньому магнітному полі у квантовому дроті значно перевищує відповідне розщеплення у квантовій ямі. Досліджено розсіяння екситонів на флуктуаціях концентрації та проекції спінів магнітних домішок, яке призводить до значного розширення екситонних смуг у квантових ямах з напівмагнітних напівпровідників. Встановлено, що ширина смуг істотно залежить від зовнішнього магнітного поля, причому характер залежності різний для sigma^-- та sigma⁺-компонент екситонного переходу. Зростання напруженості поля призводить до розширення смуг sigma^--переходу та звуження смуг sigma⁺-переходу. Запропоновано модель для розрахунку парамагнітного посилення гігантського спінового розщеплення екситонних станів у квантових ямах Cd_{1 - x}Mn_xTe/CdTe/Cd_{1 - x}Mn_xTe.

 Автореферати дисертацій 

---

Додаткова інформація про автора(ів) публікації:
(cписок формується автоматично, до списку можуть бути включені персоналії з подібними іменами або однофамільці)

• Верцімаха Ганна Віталіївна (фізико-математичні науки)

  Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"