На підставі аналізу переносу носіїв заряду та генерації фотонів у термінах концентрації удосконалено дифузійно-динамічну модель напівпровідникового лазера (НПЛ) з вертикальним резонатором. Проведено дослідження модуляційного відгуку окремих оптичних мод НПЛ з вертикальним резонатором та оксидним вікном і просторової залежності модуляційного відгуку цього лазера. Показано, що одномодовий НПЛ з вертикальним резонатором забезпечує смугу модуляції на 0,5 ГГц більше, ніж багатомодовий. Відзначено, що ділянка з найбільшою шириною смуги модуляції знаходиться в центрі вихідного дзеркала НПЛ. Проаналізовано методи керування модовим складом випромінювання НПЛ. На підставі дослідження дисперсійних залежностей оптичного поля у двовимірному фотонному кристалі (ФК) встановлено, що за умови відношення діаметра отворів до відстані між ними, меншому ніж 0,7 обмеження випромінювання в просторовому дефекті ФК здійснюється завдяки існуванню забороненої зони для енергій фотонів у ФК, в інших випадках - обумовлюється повним внутрішнім відбиттям оптичного поля від меж розподілу середовище - напівпровідник - повітря у ФК. На підставі розрахунку нормованих BV-діаграм проаналізовано модові характеристики хвилеводного каналу НПЛ з вертикальним резонатором, створеного просторовим дефектом у двовимірному ФК. Показано, що такий дефект забезпечує одномодовий режим у достатньо широкому інтервалі довжин хвиль. Визначено геометричні параметри ФК, за яких спостерігається одномодовий режим у лазерному резонаторі з дефектною ділянкою у ФК, утвореною пропуском одного отвору під час виготовлення ФК.

 Автореферати дисертацій 

---

Додаткова інформація про автора(ів) публікації:
(cписок формується автоматично, до списку можуть бути включені персоналії з подібними іменами або однофамільці)

• Іванов Павло Сергійович (фізико-математичні науки)

  Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"