Оптасюк С. В. Вплив мікроструктурних перетворень на люмінесценцію низькорозмірних ZnS, CdSe : автореф. дис... канд. фіз.-мат. наук : 01.04.10 / С. В. Оптасюк; Ін-т фізики напівпровідників ім. В.Є.Лашкарьова НАН України. - К., 2009. - 18 c. - укp.Досліджено закономірності впливу на люмінесцентні характеристики мікроструктурних перетворень, зумовлених дифузією домішок, а також процесами, що впливають на формування випромінювальних центрів та їх оточення внаслідок термічного відпалу та зовнішніх впливів у низькорозмірних ZnS, CdSe. На підставі аналізу люмінесцентних храктеристик досліджено процеси дифузії Ga в порошкоподібному ZnS за низькотемпературного легування з урахуванням впливу зовнішніх факторів. Запропоновано робочі моделі процесів дифузії Ga в ZnS за умов низькотемпературного легування ZnS металічним галієм та дії зовнішніх факторів. Показано взаємозв'язок зміни люмінесцентних характеристик і дифузійних процесів Mn в ZnS, що перебігають в матеріалі на посттехнологічному етапі. З'ясовано, що дифузія Mn в ZnS реалізується декількома каналами - швидкого та повільного перебігу дифузії. Встановлено, що обробка енергетично слабкими магнітними полями (<$EkT~>>>>~ mu sub B gB>) люмінофорів на основі ZnS:Mn призводить до перерозподілу ефективності між каналами збудження <$Eroman Mn sup 2+> у порошкових люмінофорах ZnS:Mn. Установлено перерозподіл інтенсивності смуг люмінесценції у квантових точках CdSe під дією електричного поля, зумовлений перекачкою фотозбуджених носіїв заряду з квантової ями на дефектно-поверхневі стани в наночастинці CdSe. Індекс рубрикатора НБУВ: В379.24,022
Рубрики:
Шифр НБУВ: РА365745 Пошук видання у каталогах НБУВ Повний текст Автореферати дисертацій Додаткова інформація про автора(ів) публікації: (cписок формується автоматично, до списку можуть бути включені персоналії з подібними іменами або однофамільці) Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"
|