Наведено результати експериментального дослідження впливу ядерного опромінення на кінетику преципітації кисню в кремнії під час термовідпалу. Вивчено вплив опромінення на радіаційну стійкість Si, який використовується для детекторів ядерних випромінювань. В опроміненому нейтронами Si у межах температур 600 - 1000 °C спостережено скорочення тривалості початкового процесу преципітації кисню від 300 до кількох годин. Прискорення преципітації кисню визначається загальною концентрацією точкових радіаційних дефектів. Попереднє опромінення Si нейтронами з наступним відпалом призводить до створення стоків для первинних радіаційних дефектів, що підвищує радіаційну стійкість нейронно-легованого Si до гамма- та нейтронного опромінення в 10 і 2 рази відповідно. Розроблено радіаційно стійкі детектори нейтронів з конвертором та p-і-n діоди для дозиметрії швидких нейронів з підвищеною чутливістю, яка перевищує характеристики відомих аналогів.

 Автореферати дисертацій 

---

Додаткова інформація про автора(ів) публікації:
(cписок формується автоматично, до списку можуть бути включені персоналії з подібними іменами або однофамільці)

• Литовченко Олексій Петрович (фізико-математичні науки)

  Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"