Досліджено вплив розмірних ефектів, обумовлених наявністю глибоких центрів захоплення, на електрофізичні властивості тонкоплівкових структур на основі арсеніду галію. Наведено числові методи розрахунку низькочастотної ємності тришарової арсенідгалієвої структури тонка плівка - буферний шар - підкладка високочастотної та низькочастотної ємностей прямої Al_xGa_{1 - x}As/GaAs гетероструктури з селективним легуванням. Виявлено фізичний механізм появи аномальної ділянки росту на низькочастотній вольт-фарадній залежності таких структур. Розроблено модель захоплення носіїв з плівки на глибокі центри буферного шару та підкладки арсенідгалієвої структури. Запропоновано числовий метод розрахунку домішкової фотопровідності за умов зворотного керування. Розроблено методику та прилад для вольт-фарадної діагностики глибоких центрів у тонкоплівкових структурах.

 Автореферати дисертацій 

---

Додаткова інформація про автора(ів) публікації:
(cписок формується автоматично, до списку можуть бути включені персоналії з подібними іменами або однофамільці)

• Коваленко Юрій Анатолійович (фізико-математичні науки)

  Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"