Сліпухіна І. В. Вплив симетрійних та структурних факторів на формування енергетичного спектру поблизу забороненої зони складних напівпровідників : Автореф. дис... канд. фіз.-мат. наук / І. В. Сліпухіна; Ужгород. нац. ун-т. - Ужгород, 2007. - 19 c. - укp.Досліджено симетрійні та структурні фактори, які є визначальними у формуванні енергетичних спектрів складних кристалів, а також характеризують їх відклик на зовнішні збурення - деформації та дефект. У межах концепції мінімальних комплексів зон з використанням наближення пустої гратки встановлено симетрійні аспекти формування зонного спектра кристала CdSb в околі забороненої зони. На прикладі цього напівпровідника встановлено особливості формування мінімальних комплексів зон у валентній зоні кристалів, у яких жоден з атомів в елементарній комірці не розміщується у специфічних позиціях Викоффа. Досліджено відмінності у комплексоутворенні у зонних спектрах ізовалентних кристалів SnS і PbS групи <$Eroman {A sup 4 B sup 6 }> з суттєво різною симетрією, а також твердого розчину <$EPb sub 0,5 Sn sub 0,5 S}> на їх основі. Досліджено вплив зсувних деформацій на топологію зон в околі забороненого проміжку у кристалах SbSl та <$Eroman {In sub 4 Se sub 3 }>. За методами перших принципів досліджено зміни у зонному спектрі інтеркальованого міддю та літієм кристала <$Eroman {In sub 4 Se sub 3 }>. Індекс рубрикатора НБУВ: В37,022
Рубрики:
Шифр НБУВ: РА350401 Пошук видання у каталогах НБУВ Повний текст Автореферати дисертацій Додаткова інформація про автора(ів) публікації: (cписок формується автоматично, до списку можуть бути включені персоналії з подібними іменами або однофамільці) Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"
|