Дисертацію присвячено питанням розробки технології та конструкцій напівпровідникових фотоелектричних перетворювачів (ФЕП) сонячного випромінювання на основі гетероструктур Al_xGa_{1 - x}As - GaAs. Наведено результати теоретичних та експериментальних досліджень основних параметрів ФЕП в залежності від ступеня концентрації сонячного випромінювання. Встановлено, що видалення шарів металізації з фотоприймальної та тильної поверхні призводить до суттєвого зниження температури нагрівання ФЕП. Розроблено нові конструкції та технології виготовлення ФЕП, що не потребують використання систем примусового тепловідведенння під час експлуатації у діапазоні ступенів концентрації сонячного випромінювання до 100 разів. Запропоновано схему ресурсозберігаючої технології виготовлення високовольтних тонкоплівочних ФЕП на основі гетероструктур сполук A³B⁵.

• Курак Владислав Володимирович (технічні науки)

  Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"