Проведено експериментальне дослідження закономірностей дефектоутворення і відпалу радіаційних дефектів (РД) у нейтронно трансмутаційно легованому (НТЛ) германії з різним типом та концентрацією домішок, а також у НТЛ моноізотопних кристалах ⁷⁰Ge та ⁷⁴Ge. Доведено, що швидкість введення РД пропорційна концентрації вихідної донорської домішки, відпал РД у зразках n-Ge, які під час опромінення конвертували у p-тип, і у моноізотопному ⁷⁴Ge відбувається у три стадії. Встановлено, що температура відпалу на двох стадіях зумовлена типом та концентрацією вихідної донорної домішки. Експериментально визначено, що РД - комплекс VD у НТЛ-Ge(As) має глибокий акцепторний рівень посередині забороненої зони (Е = 0,4 +- 0,02 еВ). Порівняльний аналіз поведінки трансмутаційно введених домішок (Ga, As) у Ge з природним ізотопним складом та у моноізотопних кристалах ⁷⁰Ge та ⁷⁴Ge показав, що трансмутаційно введений Ga і за певних умов As виявляють електричну активність у невідпалених зразках. На підставі аналізу експериментальних даних запропоновано модель, яка розкриває роль вихідних донорів V групи у процесах дефектоутворення і трансмутаційного легування. Встановлено, що аномалії коефіцієнта Холла поблизу p-n-конверсії у НТЛ-Ge виникають завдяки n- i p-шарам, які утворюються внаслідок компенсації вихідних шарів росту радіаційними дефектами під час опромінення n-Ge.

 Автореферати дисертацій 

---

Додаткова інформація про автора(ів) публікації:
(cписок формується автоматично, до списку можуть бути включені персоналії з подібними іменами або однофамільці)

• Карась Микола Іванович (фізико-математичні науки)

  Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"