Розроблено методики виявлення та функціональної ідентифікації макроскопічних ростових дефектів кристалів ZnSe і CZT, що широко використовуються як матеріали для лазерної техніки та детекторів радіаційного випромінювання. Показано, що фунціональна ідентифікація макроскопічних ростових дефектів можлива в межах розгляду їх як джерел внутрішніх механічних і електричних полів. Встановлено, що інформативними щодо характеру внутрішніх полів є низькочастотні діелектричні параметри - дійсна <$Eepsilon prime> і уявна <$Eepsilon symbol Т> частини комплексної діелектричної проникності <$Eepsilon sup * ~=~ epsilon prime ~-~i epsilon symbol Т>. Проведено експериментальні дослідження низькочастотних діелектричних відгуків кристалів ZnSe і CZT на тестові впливи електричних полів, фотозбудження та термічного впливу. Представлено діелектричні відгуки у вигляді графічних образів (діаграм на фазовій площині), що дозволило визначити характеристичні ознаки макроскопічних ростових дефектів та функціонально ідентифікувати їх як витоки чи стоки внутрішнього електричного поля. Обгрунтовано можливість використання методики функціональної ідентифікації макроскопічних ростових дефектів для контролю технологічної обробки кристалів, а також розроблено новий спосіб акустичної обробки кристалів ZnSe і CZT.

 Автореферати дисертацій 

---

Додаткова інформація про автора(ів) публікації:
(cписок формується автоматично, до списку можуть бути включені персоналії з подібними іменами або однофамільці)

• Клименко Ірина Анатоліївна (технічні науки)
• Клименко Ігор Андрійович (технічні науки)

  Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"