Величко О. В. Дослідження польових ефектів у локально-ангармонічних та сегнетоелектричних системах з переходами лад-безлад : Автореф. дис... канд. фіз.- мат. наук : 01.04.02 / О. В. Величко; НАН України. Ін-т фізики конденс. систем. - Л., 2005. - 21 c. - укp.Розроблено мікроскопічну теорію польових ефектів у системах з переходом типу лад -- безлад, де структурні елементи можуть перебувати у декількох станах. Шляхом модифікації моделей де Жена і Міцуї та розрахунку у межах узагальненої схеми методу когерентного потенціалу встановлено, що в локально-ангармонічних системах вплив вакансійних полів є причиною появи нових фаз і фазових переходів з можливим виникненням бістабільності або фазового розшарування (зокрема, утворення апексних киснів у <$Eroman {YBa sub 2 Cu sub 3 } roman O sub {7~-~x }>, а в спектрі колективних збуджень з'являються додаткові підзони. Для систем зі співіснуванням впорядкувань сегнето- та антисегнетоелектричного типу вздовж різних осей запропоновано мікроскопічні багатостанові моделі з базисним врахуванням локальних кореляцій у формалізмі операторів Хаббарда та розвинено теорію термодинамічних і діелектричних властивостей кристалів DMAAIS-DMGaS, GPI і RS. Наведено опис впливу кристалічного поля типу одноіонної анізотропії (енергетичної нееквівалентності орієнтаційних станів) на послідовність і рід фазових переходів та їх зміну під тиском у сегнетоелектриках DMAAIS-DMAGaS. Показано, що дія поперечного електричного поля на системи зі складною орієнтацією ефективних диполів (кристали GPI та RS) є причиною придушення спонтанної поляризації, стрибків поперечної діелектричної сприйнятливості у точках фазових переходів та зміни їх температур. Індекс рубрикатора НБУВ: В31,022 + В379.371.7,022
Рубрики:
Шифр НБУВ: РА339745 Пошук видання у каталогах НБУВ
Повний текст Автореферати дисертацій Додаткова інформація про автора(ів) публікації: (cписок формується автоматично, до списку можуть бути включені персоналії з подібними іменами або однофамільці) ![](/irbis_nbuv/images/info.png) Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"
|