Створено якісні та відтворювані поверхнево-бар'єрні структури метал/p-<$Eroman CuInSe sub 2> (метал - In, Sn, Zn), визначено й інтерпретовано механізми проходження струму. Вперше на єдиних принципах проведено зіставлення експериментальних результатів з відомими теоретичними виразами. Встановлено закономірності формування власного оксиду на поверхні InSe внаслідок довготривалого термічного окиснення (до 5 діб) та досліджено його вплив на електричні, фотоелектричні властивості гетеропереходу (ГП) власний оксид - InSe. Зафіксовано позитивний вплив невеликих доз (<$Esymbol Г ~300~ roman P> <$Egamma>-опромінення на дані переходи. Вперше розглянуто можливість оптимізації фотоелектричних параметрів структур власний оксид p-InSe, за якої к.к.д. становить 5,9 %. За допомогою методу термічного окиснення створено випростовуючі ізотипні ГП власний оксид/n-InSe, окиснених n-p-n та n-n-n фототранзисторів (ФТ) на основі InSe й низькорозмірних утворень на межі поділу оксид - шаруватий напівпровідник. Наведено результати досліджень електричних і фотоелектричних властивостей оптичного контакту шаруватий - нешаруватий напівпровідник (<$Eroman {InSe~-~CuInSe sub 2 }>.

Індекс рубрикатора НБУВ: З852.2-03 + З852.3-03

Рубрики:

Напівпровідникові діоди

Напівпровідникові тріоди (кристалічні тріоди, транзистори)

Шифр НБУВ: РА346089 Пошук видання у каталогах НБУВ 
Повний текст  Автореферати дисертацій 

---

Додаткова інформація про автора(ів) публікації:
(cписок формується автоматично, до списку можуть бути включені персоналії з подібними іменами або однофамільці)

• Сидор Олег Миколайович (фізико-математичні науки)

  Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"