Оксюта В. А. Електрично і оптично активні центри дефектного походження в легованих Cu і In монокристалах CdS і твердих розчинах на їх основі : Автореф. дис... канд. фіз.-мат. наук : 01.04.10 / В. А. Оксюта; Волин. держ. ун-т ім. Л.Українки. - Луцьк, 2003. - 16 c. - укp.Встановлено природу введення електронною радіацією (з <$Eroman {E ~ symbol Ы ~1,2~МеВ}>) локальних центрів домішково-дефектного складу у напівпровідниках CdS, легованих домішками In і Cu, запропоновано моделі, що дозволяють пояснити деякі електрично та оптично активні центри дефектного походження у CdS:In і механізми утворення та взаємодії радіаційних дефектів, введених електронною радіацією, з легуючими домішками індію та міді. Досліджено електричні, фото- та термоелектричні властивості монокристалів <$ECu sub 2 CdGeS sub 4> і <$ECu sub 2 CdSnS sub 4> і вплив на їх параметри способів одержання та термохімічної обробки. Індекс рубрикатора НБУВ: В379.24,022 + В379.271.26,022
Рубрики:
Шифр НБУВ: РА324129 Пошук видання у каталогах НБУВ Повний текст Автореферати дисертацій Додаткова інформація про автора(ів) публікації: (cписок формується автоматично, до списку можуть бути включені персоналії з подібними іменами або однофамільці) Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"
|