Встановлено природу введення електронною радіацією (з <$Eroman {E ~ symbol Ы ~1,2~МеВ}>) локальних центрів домішково-дефектного складу у напівпровідниках CdS, легованих домішками In і Cu, запропоновано моделі, що дозволяють пояснити деякі електрично та оптично активні центри дефектного походження у CdS:In і механізми утворення та взаємодії радіаційних дефектів, введених електронною радіацією, з легуючими домішками індію та міді. Досліджено електричні, фото- та термоелектричні властивості монокристалів <$ECu sub 2 CdGeS sub 4> і <$ECu sub 2 CdSnS sub 4> і вплив на їх параметри способів одержання та термохімічної обробки.

Індекс рубрикатора НБУВ: В379.24,022 + В379.271.26,022

Рубрики:

Оптичні властивості напівпровідників

Вплив дефектів на електропровідність

Шифр НБУВ: РА324129 Пошук видання у каталогах НБУВ 
Повний текст  Автореферати дисертацій 

---

Додаткова інформація про автора(ів) публікації:
(cписок формується автоматично, до списку можуть бути включені персоналії з подібними іменами або однофамільці)

• Оксюта Віктор Адамович (фізико-математичні науки)

  Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"