Створено діодні структури на базі моноселенідів індію та галію, а також досліджено їх основні електричні та фотоелектричні властивості та вивчено можливості практичного використання. Створено випрямні структури різного типу: поверхнево-бар'єрних діодів, p-n-гомо- та гетеропереходів з широким спектром електрофізичних параметрів базових матеріалів. За відповідних умов досліду (напруги, температури, рівня освітлення та його спектрального складу) виявлено механізм формування темнових і світлових характеристик, що є необхідним. За результатами дослідження показано, що у діодних структурах реалізується багато механізмів струмопроходження, теплова та польова емісія, генераційно-рекомбінаційні процеси в області просторового заряду та ударна іонізація. Установлено, що висота потенціального бар'єра контактів метал-напівпровідник визначається різницею робіт виходу контактуючих матеріалів за екрануючої дії поверхневих рівнів. Визначено, що їх концентрація змінюється у межах <$E(8~-~15)~ cdot ~10 sup 12 roman см sup -2> та корелює з різницею електронегативностей елементів базових сполук InSe та GaSe. Уперше побудовано енергетичну зонну діаграму гетеропереходу pGaSe-nInSe, яка адекватно пояснює всі спостережувані електричні та фотоелектричні властивості цих діодних структур.

Індекс рубрикатора НБУВ: З843.33

Рубрики:

Індій, галій та їхні сполуки

Шифр НБУВ: РА332436 Пошук видання у каталогах НБУВ 

---

Додаткова інформація про автора(ів) публікації:
(cписок формується автоматично, до списку можуть бути включені персоналії з подібними іменами або однофамільці)

• Янчук Олександр Іванович (фізико-математичні науки)

  Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"