Досліджено фізичні процеси, що визначають електричні, оптичні та фотоелектричні характеристики сонячних елементів, детекторів оптичного та <$Egamma>-випромінювання на базі <$E{roman Cd} sub x {roman Hg} sub {1~-~x } roman Te> (<$Ex~>>~0,6>). Розглянуто механізми переносу заряду у даних діодних структурах. Доведено, що вольт-амперні характеристики даних структур добре узгоджуються з теорією генерації-рекомбінації Саа - Нойса - Шоклі з урахуванням особливостей процесів у діоді Шотткі. Виявлено, що розходження експериментальної та теоретичної кривих у разі зворотних напруг обумовлено впливом ефектів у сильному полі бар'єрної області, зокрема, ударною іонізацією носіїв заряду. Доведено, що досліджуваний матеріал з відповідним вмістом компонент (<$Eroman {Cd sub 0,64 Hg sub 0,36 Te}> та <$Eroman {Cd sub 0,72 Hg sub 0,29 Te}> придатний для виготовлення на його основні детекторів оптичного випромінювання з довжиною хвилі 1,55 та 1,3 мкм відповідно (так званих "вікон прозорості" кварцового волокна). Встановлено вимоги до досліджуваного матеріалу для його ефективного використання як сонячного елемента. Наведено математичний опис форми спектральних кривих поверхнево-бар'єрних діодів. Показано переваги використання досліджуваного матеріалу для виготовлення детекторів <$Egamma>-випромінювання (особливо для детектування високоенергетичних квантів з енергією <$~1~ roman MeB> у порівнянні з такими приладами на основі CdTe.

 Автореферати дисертацій 

---

Додаткова інформація про автора(ів) публікації:
(cписок формується автоматично, до списку можуть бути включені персоналії з подібними іменами або однофамільці)

• Кульчинський Віктор Васильович (фізико-математичні науки)

  Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"