Висвітлено розвиток мікроскопічної самоузгодженої теорії електрон-деформаційних ефектів у кристалах зі структурними неоднорідностями (точкові, лінійні, плоскі дефекти, стінка дислокацій) та в напружених гетеросистемах. На основі даної теорії розкрито механізм виникнення електрон-деформаційного диполя на напруженій гетеромережі, вздовж осі дислокації та дислокацій, що утворюють дислокаційну сітку. Наведено теоретичний опис з урахуванням електрон-деформаційної взаємодії розсіяння Х-променів у напружених надгратках, зміни деформаційного стану гетеросистем з неузгодженими параметрами граток, дефектного кристала й енергетичного положення локалізованих станів електрона, зумовлених дислокацією під впливом зовнішніх полів (електричного або магнітного) та зміни ступеня заповнення електронної зони. Доведено, що електрон-деформаційна взаємодія призводить до звуження області локалізації імплантованої домішки та пониження розмірності електронної підсистеми у структурах з неоднорідно напруженим шаром. Досліджено вплив поверхнево-деформаційних ефектів напівпровідника на властивості контакту поверхнево-бар'єрних структур виду Шотткі.

 Автореферати дисертацій 

---

Додаткова інформація про автора(ів) публікації:
(cписок формується автоматично, до списку можуть бути включені персоналії з подібними іменами або однофамільці)

• Пелещак Роман Михайлович (фізико-математичні науки)

  Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"