Досліджено електронні властивості шаруватих кристалів і тонких плівок селенідів галію та індію з метою встановлення прояву структурних особливостей даних матеріалів у їх електронних властивостях і розроблено фізичні засади технології створення гетероструктур на їх основі. За допомогою методу малокутового розсіювання нейтронів вивчено структурні особливості монокристалів <$Eroman {In sub 4 Se sub 3 }> і виявлено далекий порядок (надструктуру) в розташуванні кластерів дефектів. З'ясовано природу локалізованих станів у кристалі <$Eroman {In sub 4 Se sub 3 }> і досліджено їх прояв у нерівноважних процесах. Розглянуто структурні та фазові перетворення в даних плівках під час кристалізації. Установлено залежність фазового складу плівок селенідів індію після кристалізації від їх товщини, яка обгрунтовується меншими значеннями приросту термодинамічного потенціалу в разі виникнення зародків кристалічної фази <$Eroman {In sub 4 Se sub 3 }> ніж для фази InSe. Показано, що кінетика електронно-стимульованих змін оптичних параметрів монокристалів і плівок InSe і GaSe описується рівнянням теплоперенесення для релаксації теплового збурення з урахуванням анізотропії теплопровідності. Проаналізовано методами діаграм фазових рівноваг і парціальних тисків процеси термічного окиснення сполук системи In - Ga - Se. Вивчено фотоелектричні властивості монокристалів <$Eroman {In sub 4 Se sub 3 }>, тонких плівок системи In - Se і гетероструктур, сформованих термічним оксидуванням та азотуванням монокристалів селенідів індію та галію.

 Автореферати дисертацій 

---

Додаткова інформація про автора(ів) публікації:
(cписок формується автоматично, до списку можуть бути включені персоналії з подібними іменами або однофамільці)

• Савчин Володимир Павлович (фізико-математичні науки)

  Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"