Досліджено ефекти міжзонного фототунелювання та заповнення зон у спектрах електровідбивання германію, особливостей електронних явищ у сильно легованих твердих розчинах германій - кремній та CaAs і GaP в області краю власного поглинання. Розроблено метод відокремлення поверхневої та об'ємної складових електровідбивання. Одержано дані про вплив фриделівських осциляцій екранування на ємність полікристалічних твердих розчинів <$En~-~ roman Ge sub {1~-~x } roman Si sub x> за об'ємної концентрації електронів <$E10 sup 26 ~ roman м sup -3>. Установлено наявність високого (<$E2~ cdot ~10 sup 8 ~В/м> вбудованого електричного поля в тонкій (~ 2 нм) приповерхневій області <$Eroman Ge sub {1~-~x } roman Si sub x>. Визначено його лінійну зміну <$Em sub { symbol <94>} зі складом розчину x. Виявлено зв'язок між рухливістю носіїв заряду та зіштовхувальним параметром уширення оптичних спектрів за припущення про незалежність процесів розсіювання фотогенерованих дірки та електрона, а також зв'язок між періодами осциляцій Келдиша - Франца <$EDELTA E sub m> та електронними параметрами приповерхневих шарів.

Індекс рубрикатора НБУВ: В379.225,022 + В379.271,022

Рубрики:

Поверхневі явища в напівпровідниках

Електричні властивості

Шифр НБУВ: РА328644 Пошук видання у каталогах НБУВ 
Повний текст  Автореферати дисертацій 

---

Додаткова інформація про автора(ів) публікації:
(cписок формується автоматично, до списку можуть бути включені персоналії з подібними іменами або однофамільці)

• Генцарь Петро Олексійович (фізико-математичні науки)

  Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"