Досліджено закономірності змін та особливості нерівноважних процесів, механізмів рекомбінації та фото- і електрофізичних властивостей вузькощілинних (ВН) та безщілинних (БН) напівпровідників, що відбуваються внаслідок перебудови енергетичної структури під впливом пружної одновісної деформації (ОД), магнітного поля Н або пасивації поверхні анодним оксидом. Встановлено причини і обгрунтовано ряд вперше одержаних експериментальних результатів, найважливішими з яких є: перехід метал - діелектрик - метал в БН <$Eroman Cd sub x roman Hg sub {1~-~x } roman Te> (КРТ) з <$Ex~ symbol Ы ~0,16> під впливом ОД, різке зростання надвисокочастотної (мм) фоточутливості БН КРТ під час розкриття енергетичної щілини ОД чи Н, електромагнітне випромінювання (<$Elambda ~ symbol Ы ~100~ roman мкм>) стимульованого типу з одноосьово напружених БН КРТ (<$Ex~ symbol Ы ~0,14>), різкі зміни часу життя носіїв струму і багаторазове підвищення квантового виходу рекомбінаційного випромінювання із ВН внаслідок змін рекомбінаційних механізмів під дією ОД. Доведено можливість суттєвого підвищення фоточутливості кубічних ВН і застосування їх як ефективних джерел випромінювання в інфрачервоному діапазоні.

Індекс рубрикатора НБУВ: В379.2,022

Рубрики:

Фізика напівпровідників

Шифр НБУВ: РА329414 Пошук видання у каталогах НБУВ 
Повний текст  Автореферати дисертацій 

---

Додаткова інформація про автора(ів) публікації:
(cписок формується автоматично, до списку можуть бути включені персоналії з подібними іменами або однофамільці)

• Гасан-заде Салім Гюльрзаєвич (фізико-математичні науки)

  Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"