Наведено результати систематичних теоретичних досліджень властивостей квазідвовимірних та квазіодновимірних систем електронів, локалізованих над поверхнею рідкого гелію. За допомогою варіаційного методу одержано аналітичні вирази для енергії перших двох енергетичних рівнів для руху електронів у напрямку, нормальному до поверхні гелію. Установлено залежність енергії від товщини плівки гелію, що розташована на твердій підкладці, та від товщини шару рідкої фази, збагаченої на <$Esup 3 roman He>, у розташованому рідкому розчині ізотопів гелію. Вивчено залежність енергетичного спектра електронів, що локалізовані у квазіодновимірному провідному каналі на поверхні гелію, від магнітного поля. Базуючись на знайдених хвильових функціях, за методом кінетичного рівняння вивчено рухливість електронів уздовж межі розділу пар - рідкий гелій з використанням різних наближень, з'ясовано внесок міжелектронних зіткнень у формуванні функції розподілу носіїв. Шляхом порівняння з експериментальними даними доведено, що у системі поверхневих електронів реалізується режим повного контролю, за якого зіткнення між електронами відіграють вирішальну роль у формуванні функції розподілу частинок. Установлено гамільтоніан розсіяння електронів неоднорідностями дна плівки гелію, обчислено рухливість поверхневих електронів завдяки цьому розсіянню та за умов порівняння з результатами експерименту оцінено характерні розміри неоднорідностей. Вивчено рухливість електронів у квазіодновимірному провідному каналі над рідким гелієм та уперше теоретично знайдено залежність рухливості від притискного та ведучого електричних полів. Вивчено вплив магнітного поля

 Автореферати дисертацій 

---

Додаткова інформація про автора(ів) публікації:
(cписок формується автоматично, до списку можуть бути включені персоналії з подібними іменами або однофамільці)

• Соколов Святослав Сергійович (фізико-математичні науки)

  Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"