Полигач Є. О. Зарядовий стан домішки гадолінію і власні дефекти у кристалах телуридів свинцю і олова : Автореф. дис... канд. фіз.-мат. наук : 01.04.10 / Є. О. Полигач; Львів. нац. ун-т ім. І.Франка. - Л., 2003. - 20 c. - Бібліогр.: с.17. - укp.Досліджено монокристали системи PbTe - SnTe, вирощені з розплаву та парової фази і леговані домішкою Gd у процесі росту. За допомогою методу електронного парамагнітного резонансу показано, що домішка гадолінію у даних кристалах представлена одночасно у двох зарядових станах <$Eroman Gd sup 2+> і <$Eroman Gd sup 3+>, співвідношення між якими залежить від стану системи власних дефектів даних кристалів та у разі постійної концентрації домішки може бути змінене шляхом застосування технологічних процедур, що впливають на неї. Зазначено, що одержані результати інтерпретуються на базі моделі існування іона домішки гадолінію у зарядовому стані <$Eroman Gd sup 3+> у кристалах телуридів свинцю та олова як складової частини структурного комплексу, що містить іон домішки у металічних позиціях кристалічної гратки та вакансію у підгратці халькогену. За допомогою методу мессбауерівської спектроскопії на ядрах <$Eroman nothing sup 119 Sn> встановлено існування кореляцій між напівпровідниковими параметрами даних кристалів і мессбауерівськими параметрами спектрів. Зроблено висновок про те, що легування домішкою гадолінію кристалів <$Eroman {Pb sub 1 - x Sn sub x Te}> у разі їх вирощування з розплаву дозволяє ефективно знижувати сумарну концентрацію точкових дефектів у них. Індекс рубрикатора НБУВ: В379.222,022
Рубрики:
Шифр НБУВ: РА323818 Пошук видання у каталогах НБУВ
Повний текст Автореферати дисертацій Додаткова інформація про автора(ів) публікації: (cписок формується автоматично, до списку можуть бути включені персоналії з подібними іменами або однофамільці) ![](/irbis_nbuv/images/info.png) Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"
|