Показано вплив модифікації, кристалічної орієнтації та хімічної чистоти поверхні на процеси пружного та непружного розсіювання повільних моноенергетичних електронів. Досліджено енергетичні залежності інтенсивності пружного розсіювання електронів і спектрів втрат різномодифікованими поверхнями монокристалічного p-Si(100), полірованим гранями (111), (100), (110) монокристалічного Ge, атомно-чистими й окисненими шарами Mg. Визначено параметри об'ємних і поверхневих електронних станів досліджених об'єктів. Встановлено взаємозв'язок між особливостями в енергетичних залежностях інтенсивності пружного зворотного розсіювання електронів низьких енергій та у спектрах втрат енергії зі збудженням електронних переходів між точками, які відповідають максимумам густини об'ємних і поверхневих електронних станів у приведеній зоні Бріллюена даних об'єктів. Зазначено, що прояв особливостей у спектрах зворотно розсіяних електронів низьких енергій сильно залежить від <$EE sub p>.

Індекс рубрикатора НБУВ: В377.13,022

Рубрики:

Електронна емісія

Шифр НБУВ: РА319737 Пошук видання у каталогах НБУВ 
Повний текст  Автореферати дисертацій 

---

Додаткова інформація про автора(ів) публікації:
(cписок формується автоматично, до списку можуть бути включені персоналії з подібними іменами або однофамільці)

• Фейер Віталій Михайлович (фізико-математичні науки)

  Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"