Розраховано електронну зонну структуру твердих розчинів заміщення GaxIn1 - xP, InAsxSb1 - x, InSb11 - xBix за методом локального моделювання псевдопотенціалу з урахуванням спін-орбітальної взаємодії, композиційної невпорядкованості та неузгодженості постійних гратки, внаслідок яких виникає локальна деформація, що враховується під час проведення розрахунків деформаційних потенціалів. Досліджено перебудову хімічного зв'язку в даних сплавах зі змінною складу x з урахуванням повної валентної густини заряду та полярності <$Ealpha sub p>. Проведено розрахунок поперечного ефективного заряду, пружних констант, проаналізовано вплив на них перебудови хімічного зв'язку. Визначено основні оптичні характеристики сплавів GaxIn1 - xP, InAsxSb1 - x, InSb11 - xBix.

Індекс рубрикатора НБУВ: В371.3,022 + В379.223,022

Рубрики:

Квантова теорія

Тверді розчини напівпровідників

Шифр НБУВ: РА320931 Пошук видання у каталогах НБУВ 
Повний текст  Автореферати дисертацій 

---

Додаткова інформація про автора(ів) публікації:
(cписок формується автоматично, до списку можуть бути включені персоналії з подібними іменами або однофамільці)

• Виклюк Ярослав Ігорович (фізико-математичні науки)

  Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"