Установлено, що градієнтне легування буферного SiGe шару вуглецем значною мірою перешкоджає зародженню дислокацій за надкритичних товщин, а також зазначено, що необхідна величина постійної гратки на поверхні такої підкладки реалізується у разі значно менших товщин у порівнянні з SiGe-градієнтними шарами. Виявлено якісні відмінності механізму росту самоіндукованих острівців Ge та Si від класичного механізму Странського - Крастанова, зумовлені у процесі росту інтердифузією, стимульованою неоднорідними механічними напруженнями навколо острівців. З використанням спектроскопії комбінаційно розсіюваного світла (КРС) установлено взаємозв'язок компонентного складу та напружень в острівцях з температурою їх росту та номінальною товщиною осадженого шару германію. Показано, що збільшення пружної енергії епітаксійного шару Ge шляхом використання як підкладки замість кремнію напруженого <$Eroman Si sub {1~-~x } roman Ge sub x> призводить до суттєвого зменшення критичної товщини 2D - 3D-переходу та до кардинальних змін у морфології острівцевої структури. Визначено збільшення вмісту атомів кремнію в острівцях та зменшення пружної релаксації наноострівців після зарощення їх кремнієм. Відзначено, що у разі інтерпретації низькочастотних акустичних смуг КРС необхідно приймати до уваги реальну структуру острівцевої плівки, а не номінальні товщини шарів Ge та Si.

 Автореферати дисертацій 

---

Додаткова інформація про автора(ів) публікації:
(cписок формується автоматично, до списку можуть бути включені персоналії з подібними іменами або однофамільці)

• Джаган Володимир Миколайович (фізико-математичні науки)
• Джаган Володимир Михайлович (фізико-математичні науки)

  Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"