Визначено особливості переходу легованих донорними домішками кристалів CdTe і твердих розчинів <$E{ roman Cd} sub {1~-~x } { roman Me} sub x roman Te> (Me = Zn, Mn, Mg) у напівізолюючий стан залежно від умов їх одержання на підставі результатів електричних, фотоелектричних, фотохоллівських і фотолюмінесцентних досліджень. У разі введення у телурид кадмію домішки свинцю одержується компенсований матеріал p-типу провідності, рівноважні властивості якого визначаються рівнем <$Eroman {E~=~(0,40~ symbol С ~0,3)~ еВ}>. У кристалах CdTe:Ge, Sn, Pb атоми легуючих речовин можуть бути простими донорами заміщення (<$Eroman {Me sub Cd }>), або утворювати складні донорно-акцепторні пари (<$Eroman {Me sub Cd ~-~V sub Cd }>) чи асоціати (<$Eroman {V sub Cd sup 2- ~-~Me sub Cd sup + }>). Останній тип дефектів, для яких перерізи захоплення електронів і дірок значною мірою відрізняються, забезпечує високу фоточутливість CdTe:Ge, Sn, Pb. У напівізолювальних кристалах CdTe:Cl і <$Eroman {Cd sub 0,96 Zn sub 0,04 Te:Cl}> p-типу провідності наявні низькотемпературні (<$Eroman T~ symbol У ~345~ roman K>) релаксаційні процеси, які призводять до збільшення питомого опору напівпровідників. Вони спричинені зміною розміщення залишкових атомів міді у решітці базового матеріалу відповідно до реакції: <$Eroman {Cu sub Cd sup - ~ symbol Л ~V sub Cd sup - ~+~Cu sub i sup - ~+~e sup - }>. Для створених легувальними домішками глибоких рівнів у кристалах CdTe:V, Ni характерна співмірність перерізів захоплення електронів і дірок, що призводить до біполярного типу рівноважної провідності та меншої,

Індекс рубрикатора НБУВ: В379.2,022 + З843.395-06

Рубрики:

Фізика напівпровідників

Тонкі плівки

Шифр НБУВ: РА352102 Пошук видання у каталогах НБУВ 
Повний текст  Автореферати дисертацій 

---

Додаткова інформація про автора(ів) публікації:
(cписок формується автоматично, до списку можуть бути включені персоналії з подібними іменами або однофамільці)

• Парфенюк Орест Архипович (фізико-математичні науки)

  Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"