Запропоновано конструктивне удосконалення касети для проведення рідинно-фазної епітакції, що дозволяє одержувати тонкі епітаксійні шари субмікронних розмірів на базі гетероструктур GaAs різного складу та рівня легування за рахунок забезпечення швидкої заміни в касеті ростових розплавів-розчинів. Удосконалено та реалізовано установку електрохімічного профілювання концентрації вільних носіїв заряду в епітаксійних шарах на основі GaAs, яка може бути ефективно використана в процесі розв'язання аналогічних задач екологічно небезпечним методом ртутного зонда. Обгрунтовано й апробовано режими використання легування розчинів-розплавів домішками рідкоземельних елементів у технології рідиннофазної епітаксії щодо зниження рівня фонових домішок, які дозволяють значно скоротити та здешевити процес епітаксійного нарощування шарів на базі GaAs шляхом відмови від довготривалих відпалів вихідної шихти.

 Автореферати дисертацій 

---

Додаткова інформація про автора(ів) публікації:
(cписок формується автоматично, до списку можуть бути включені персоналії з подібними іменами або однофамільці)

• Мрихін Ігор Олександрович (технічні науки)

  Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"